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IXTN32P60P

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IXYS

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

IXTN32P60P Technisches Datenblatt

compliant

IXTN32P60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $24.05000 $240.5
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 196 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

FDD8874
MCQ4435A-TP
NTMFS5H610NLT1G
NTMFS5H610NLT1G
$0 $/Stück
STL130N6F7
STL130N6F7
$0 $/Stück
BSS119L6433
IRFU224PBF
IRFU224PBF
$0 $/Stück
APT50M50L2LLG

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