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IXTP110N055T

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IXYS

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

nicht konform

IXTP110N055T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.72500 $86.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZXM62N03GTA
RF1S540SM
RF1S540SM
$0 $/Stück
SIR482DP-T1-GE3
IRFR9014
IRFR9014
$0 $/Stück
IRFR220BTM
IRF7457TR
IRFR3708
BUK7907-55AIE,127
IRLL3303TR

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