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IXTP24N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

IXTP24N65X2 Technisches Datenblatt

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IXTP24N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $3.01500 $150.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

MTB16N25ET4
MTB16N25ET4
$0 $/Stück
MMFTN3018W
ZXMN2F30FHTA
AUIRF7739L2TR
NTD5C434NT4G
NTD5C434NT4G
$0 $/Stück
IRFPF40PBF
IRFPF40PBF
$0 $/Stück
STW19NM60N
STW19NM60N
$0 $/Stück
SQJ481EP-T1_BE3

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