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IRFPF40PBF

IRFPF40PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3

IRFPF40PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFPF40PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.36000 $4.36
25 $3.52800 $88.2
100 $3.22640 $322.64
500 $2.63862 $1319.31
1,000 $2.24680 -
2,500 $2.14131 -
5,000 $2.06596 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STW19NM60N
STW19NM60N
$0 $/Stück
SQJ481EP-T1_BE3
ISL9N306AP3
DMP2130L-7
SFU9034TU
STD12N50M2
STD12N50M2
$0 $/Stück
IXTH80N20L
IXTH80N20L
$0 $/Stück

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