Welcome to ichome.com!

logo
Heim

MTB16N25ET4

MTB16N25ET4

MTB16N25ET4

onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

MTB16N25ET4 Technisches Datenblatt

nicht konform

MTB16N25ET4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
184800 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

MMFTN3018W
ZXMN2F30FHTA
AUIRF7739L2TR
NTD5C434NT4G
NTD5C434NT4G
$0 $/Stück
IRFPF40PBF
IRFPF40PBF
$0 $/Stück
STW19NM60N
STW19NM60N
$0 $/Stück
SQJ481EP-T1_BE3
ISL9N306AP3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.