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IXTP4N70X2M

IXTP4N70X2M

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IXYS

MOSFET N-CH 700V 4A TO220

SOT-23

IXTP4N70X2M Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP4N70X2M Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.00000 $100
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 386 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Zugehörige Teilenummer

NTD65N03R-35G
NTD65N03R-35G
$0 $/Stück
DMN2075U-7
PSMN3R4-30BLE,118
IRF6636TRPBF
PN3685
IRF7451TRPBF
SQM110P06-8M9L_GE3
IRLR8256TRPBF

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