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IXTP76N25TM

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 76A TO220

IXTP76N25TM Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP76N25TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.85720 $3.8572
500 $3.818628 $1909.314
1000 $3.780056 $3780.056
1500 $3.741484 $5612.226
2000 $3.702912 $7405.824
2500 $3.66434 $9160.85
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 44mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4920 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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