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IXTT26N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

IXTT26N50P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT26N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.26867 $158.0601
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SQ3419EV-T1_BE3
SI3129DV-T1-GE3
IXFN150N65X2
IXFN150N65X2
$0 $/Stück
STW40N60M2-4
APT56F60B2
SQM35N30-97_GE3
BUK7E1R8-40E,127
NTMFS4847NAT1G
NTMFS4847NAT1G
$0 $/Stück
IRLU3110ZPBF

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