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IXTT74N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

IXTT74N20P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT74N20P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.08500 $152.55
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 74A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 34mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 107 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

FDPF20N50
FDPF20N50
$0 $/Stück
SIS184DN-T1-GE3
STB120N4F6
STB120N4F6
$0 $/Stück
SIHFS11N50A-GE3
FDS86540
PSMN4R3-30BL,118
IXTA42N15T
IXTA42N15T
$0 $/Stück
RQ6L020SPTCR
IRFR3411PBF

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