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SIHFS11N50A-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 11A TO263

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SIHFS11N50A-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.09896 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1423 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDS86540
PSMN4R3-30BL,118
IXTA42N15T
IXTA42N15T
$0 $/Stück
RQ6L020SPTCR
IRFR3411PBF
ZXMN6A08E6QTA
PMV16XNR
PMV16XNR
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IXTN22N100L
IXTN22N100L
$0 $/Stück
STB30N65M5
STB30N65M5
$0 $/Stück

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