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STB30N65M5

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STB30N65M5

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

STB30N65M5 Technisches Datenblatt

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STB30N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.08000 -
2,000 $2.92600 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 139mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2880 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDG315N
STF10P6F6
STF10P6F6
$0 $/Stück
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
$0 $/Stück
BSS84AKVL
BSS84AKVL
$0 $/Stück
IRLB8748PBF
SISA12BDN-T1-GE3
PMZB950UPEL315

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