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IRFR3411PBF

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MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

IRFR3411PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFR3411PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 44mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1960 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN6A08E6QTA
PMV16XNR
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$0 $/Stück
IXTN22N100L
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$0 $/Stück
STB30N65M5
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$0 $/Stück
FDG315N
STF10P6F6
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$0 $/Stück
NTD20N06LT4G
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