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IXTN22N100L

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B

IXTN22N100L Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTN22N100L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $42.03000 $42.03
10 $39.30600 $393.06
30 $36.35200 $1090.56
100 $34.08000 $3408
250 $31.80800 $7952
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 11A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

STB30N65M5
STB30N65M5
$0 $/Stück
FDG315N
STF10P6F6
STF10P6F6
$0 $/Stück
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
$0 $/Stück
BSS84AKVL
BSS84AKVL
$0 $/Stück
IRLB8748PBF
SISA12BDN-T1-GE3

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