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IXTV30N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

IXTV30N60P Technisches Datenblatt

compliant

IXTV30N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS220
Paket / Koffer TO-220-3, Short Tab
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Zugehörige Teilenummer

STW40N20
STW40N20
$0 $/Stück
STD5NK52ZD
STD5NK52ZD
$0 $/Stück
IRF3711ZL
IPP086N10N3G
FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/Stück
STB30NM60ND

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