Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTX17N120L

IXTX17N120L

IXTX17N120L

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247-3

IXTX17N120L Technisches Datenblatt

compliant

IXTX17N120L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $28.18600 $845.58
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SISS70DN-T1-GE3
PSMN1R5-30YL,115
DMG1013UW-7
SI2365EDS-T1-GE3
FDPF39N20
FDPF39N20
$0 $/Stück
DMP32D9UFO-7B
IXTA4N80P
IXTA4N80P
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.