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MSJPF20N65-BP

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MOSFET N-CH 650V 11A TO220F

SOT-23

nicht konform

MSJPF20N65-BP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.83000 $5.83
500 $5.7717 $2885.85
1000 $5.7134 $5713.4
1500 $5.6551 $8482.65
2000 $5.5968 $11193.6
2500 $5.5385 $13846.25
5000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 901 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDMS7678
FDMS7678
$0 $/Stück
IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
$0 $/Stück
SI4848DY-T1-GE3
SI8489EDB-T2-E1
NTS4101PT1G
NTS4101PT1G
$0 $/Stück
SIR188LDP-T1-RE3
STF10LN80K5
BUK6217-55C,118
BUK6217-55C,118
$0 $/Stück
SIS862DN-T1-GE3

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