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NTS4101PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3

NTS4101PT1G Technisches Datenblatt

compliant

NTS4101PT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09833 -
6,000 $0.09310 -
15,000 $0.08526 -
30,000 $0.08004 -
75,000 $0.07220 -
150,000 $0.07078 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.37A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 840 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 329mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323)
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

SIR188LDP-T1-RE3
STF10LN80K5
BUK6217-55C,118
BUK6217-55C,118
$0 $/Stück
SIS862DN-T1-GE3
IRLI640GPBF
IRLI640GPBF
$0 $/Stück
APT7M120S
NTBGS004N10G
NTBGS004N10G
$0 $/Stück
IXFP56N30X3M
IXFP56N30X3M
$0 $/Stück
NDC631N

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