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SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8

compliant

SIS862DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55350 -
6,000 $0.52751 -
15,000 $0.50895 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1320 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRLI640GPBF
IRLI640GPBF
$0 $/Stück
APT7M120S
NTBGS004N10G
NTBGS004N10G
$0 $/Stück
IXFP56N30X3M
IXFP56N30X3M
$0 $/Stück
NDC631N
IRLR7833
RZF030P01TL
IRFBE30PBF-BE3
AUIRFS3006-7P

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