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APT11F80B

APT11F80B

APT11F80B

MOSFET N-CH 800V 12A TO247

APT11F80B Technisches Datenblatt

compliant

APT11F80B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
97 $5.39474 $523.28978
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2471 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 337W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

APT18M80B
ISL9N303AS3
NTTFS6H850NLTAG
NTTFS6H850NLTAG
$0 $/Stück
DMP6110SFDF-13
SIHG15N60E-GE3
R6024VNX3C16
CSD16325Q5
CSD16325Q5
$0 $/Stück
SI3458BDV-T1-BE3

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