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SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

nicht konform

SIHG15N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.67000 $3.67
10 $3.28100 $32.81
100 $2.69020 $269.02
500 $2.17842 $1089.21
1,000 $1.83722 -
2,500 $1.74536 -
5,000 $1.67974 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

R6024VNX3C16
CSD16325Q5
CSD16325Q5
$0 $/Stück
SI3458BDV-T1-BE3
NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06LT4G-VF01
$0 $/Stück
CSD13380F3
CSD13380F3
$0 $/Stück
IXFR4N100Q
IXFR4N100Q
$0 $/Stück
FQB33N10TM
FQB33N10TM
$0 $/Stück

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