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APT30N60BC6

APT30N60BC6

APT30N60BC6

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

APT30N60BC6 Technisches Datenblatt

compliant

APT30N60BC6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.53000 $6.53
30 $5.35300 $160.59
8 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 960µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2267 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 219W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTHS2101PT1
NTHS2101PT1
$0 $/Stück
SIHH070N60EF-T1GE3
RQ3E075ATTB
CSD18512Q5B
CSD18512Q5B
$0 $/Stück
STL40N10F7
STL40N10F7
$0 $/Stück
IRFR014TRLPBF
BUK969R3-100E,118
BUK9535-100A,127
BUK9535-100A,127
$0 $/Stück

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