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APT34N80B2C3G

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MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

nicht konform

APT34N80B2C3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.42000 $11.42
10 $10.38400 $103.84
100 $8.82610 $882.61
500 $7.52812 $3764.06
1,000 $7.26852 -
41 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 34A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 355 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 417W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
$0 $/Stück
PMPB15XPZ
PMPB15XPZ
$0 $/Stück
SI4894BDY-T1-E3
BUK765R2-40B,118
FDPF3860T
FDPF3860T
$0 $/Stück

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