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APT50M65B2FLLG

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MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

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APT50M65B2FLLG Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 67A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 141 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7010 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 694W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

STB20N90K5
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TN5335N8-G
BUK761R6-40E,118
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DMP2120U-7
NTD4302-1G
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STP40N60M2
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