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DN2530N3-G

DN2530N3-G

DN2530N3-G

MOSFET N-CH 300V 175MA TO92

DN2530N3-G Technisches Datenblatt

compliant

DN2530N3-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.61000 $0.61
25 $0.50480 $12.62
100 $0.46350 $46.35
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 175mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 740mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Zugehörige Teilenummer

STB34NM60ND
SISS50DN-T1-GE3
IRFB7734PBF
NX3008NBKMB,315
IRF710STRLPBF
CSD25501F3
CSD25501F3
$0 $/Stück
NTMFS4H01NT1G
NTMFS4H01NT1G
$0 $/Stück
FDMC013P030Z
FDMC013P030Z
$0 $/Stück
SI4401FDY-T1-GE3
IRFPC50PBF
IRFPC50PBF
$0 $/Stück

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