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DN2535N3-G-P013

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MOSFET N-CH 350V 120MA TO92

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DN2535N3-G-P013 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 25Ohm @ 120mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Zugehörige Teilenummer

MSJPF20N65-BP
FDMS7678
FDMS7678
$0 $/Stück
IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
$0 $/Stück
SI4848DY-T1-GE3
SI8489EDB-T2-E1
NTS4101PT1G
NTS4101PT1G
$0 $/Stück
SIR188LDP-T1-RE3
STF10LN80K5
BUK6217-55C,118
BUK6217-55C,118
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