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DN2625K4-G

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MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252

DN2625K4-G Technisches Datenblatt

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DN2625K4-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.12167 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.04 nC @ 1.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

RUC002N05T116
FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/Stück
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/Stück
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/Stück
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7

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