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MSCSM120DDUM31CTBL2NG

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

compliant

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $313.41000 $313.41
500 $310.2759 $155137.95
1000 $307.1418 $307141.8
1500 $304.0077 $456011.55
2000 $300.8736 $601747.2
2500 $297.7395 $744348.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 4 N-Channel, Common Source
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 79A
rds ein (max) @ id, vgs 31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 232nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3020pF @ 1000V
Leistung - max. 310W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket -
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Zugehörige Teilenummer

MCB40P1200LB-TUB
MCB40P1200LB-TUB
$0 $/Stück
APTC60AM24T1G
NTMFD016N06CT1G
NTMFD016N06CT1G
$0 $/Stück
SP8M21HZGTB
2SJ653-CB11
2SJ653-CB11
$0 $/Stück
APTC80H15T1G
FCP11N65
DMN3016LDN-13

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