Welcome to ichome.com!

logo
Heim

TN0104N8-G

TN0104N8-G

TN0104N8-G

MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA

TN0104N8-G Technisches Datenblatt

compliant

TN0104N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.82400 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 630mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 70 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDB8444TS
FDMS86182
FDMS86182
$0 $/Stück
IXTP52P10P
IXTP52P10P
$0 $/Stück
RQ3E080BNTB
STE48NM50
STE48NM50
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.