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TP2104K1-G

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MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB

TP2104K1-G Technisches Datenblatt

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TP2104K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47380 -
55 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NTA4153NT1G
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$0 $/Stück
R6008FNX
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$0 $/Stück
RS3E075ATTB1
NTP125N65S3H
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$0 $/Stück
IPS50R520CP
SIR5802DP-T1-RE3
NTB23N03R
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PMZ370UNEYL
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