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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 7.3A (Tj) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | - |
vgs(th) (max) @ ID | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 19.1 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 556mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-WLCSP (1.48x0.98) |
Paket / Koffer | 6-XFBGA, WLCSP |
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