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PMCM6501UPEZ

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MOSFET P-CH 20V 6WLCSP

nicht konform

PMCM6501UPEZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,500 $0.28113 -
9,000 $0.26531 -
13,500 $0.24949 -
31,500 $0.23842 -
256 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.3A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 556mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (1.48x0.98)
Paket / Koffer 6-XFBGA, WLCSP
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Zugehörige Teilenummer

IRL80HS120
SI4401BDY-T1-GE3
DMN1054UCB4-7
FQP16N15
STU2NK100Z
STU2NK100Z
$0 $/Stück
SI2316DS-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3
STW70N65DM6-4
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/Stück

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