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PMH400UNEH

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MOSFET N-CH 30V 900MA DFN0606-3

PMH400UNEH Technisches Datenblatt

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PMH400UNEH Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
1259 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 460mOhm @ 700mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.93 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4540 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN0606-3 (SOT8001)
Paket / Koffer 3-XFDFN
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Zugehörige Teilenummer

STD80N4F6
STD80N4F6
$0 $/Stück
RM45N60DF
RM45N60DF
$0 $/Stück
SIR184LDP-T1-RE3
SCT3060ALHRC11
FQD7P20TM
FQD7P20TM
$0 $/Stück
FDS3570
SISH114ADN-T1-GE3
ISL9N304AP3

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