Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 128mOhm @ 2.4A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.25V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 386 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 463mW (Ta), 1.9W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.