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PSMN0R9-30YLDX

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MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

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PSMN0R9-30YLDX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.77550 -
3,000 $0.72380 -
7,500 $0.68761 -
10,500 $0.66176 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.87mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 109 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7668 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 291W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56; Power-SO8
Paket / Koffer SOT-1023, 4-LFPAK
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Zugehörige Teilenummer

TP0606N3-G
R6520KNZ4C13
SI7478DP-T1-E3
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/Stück
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/Stück
BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/Stück

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