Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 25 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 2.09mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 34.1 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2485 pF @ 12 V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / Koffer | SC-100, SOT-669 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.