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PSMN2R0-25YLDX

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MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

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PSMN2R0-25YLDX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.41343 -
3,000 $0.37467 -
7,500 $0.34883 -
10,500 $0.33591 -
1 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.09mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2485 pF @ 12 V
FET-Funktion Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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