Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 20A |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 120mOhm @ 10A, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 30 nC @ 5 V |
| vgs (max) | ±15V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1500 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Verlustleistung (max.) | 105W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.