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BUK751R8-40E127

BUK751R8-40E127

BUK751R8-40E127

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BUK751R8-40E127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
784 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11340 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 349W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFN34N80
IXFN34N80
$0 $/Stück
RQ3E100BNTB1
FDMB668P
IXFH170N10P
IXFH170N10P
$0 $/Stück
DMTH6004SCTB-13
NVMYS1D2N04CLTWG
NVMYS1D2N04CLTWG
$0 $/Stück

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