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PMN15UN115

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NXP USA Inc.

SMALL SIGNAL FET

PMN15UN115 Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN15UN115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.12000 $0.12
500 $0.1188 $59.4
1000 $0.1176 $117.6
1500 $0.1164 $174.6
2000 $0.1152 $230.4
2500 $0.114 $285
9000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

FQPF13N10
FDS8447
FDS8447
$0 $/Stück
RM70P30DF
RM70P30DF
$0 $/Stück
SIHB30N60ET1-GE3
STP20NK50Z
STP20NK50Z
$0 $/Stück
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11
$0 $/Stück
IXFH88N30P
IXFH88N30P
$0 $/Stück

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