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PMN23UN,165

PMN23UN,165

PMN23UN,165

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

PMN23UN,165 Technisches Datenblatt

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PMN23UN,165 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 1mA (Typ)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-74
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

IRF9Z34NSPBF
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$0 $/Stück
IXTC230N085T
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$0 $/Stück
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NVMFS5C442NLWFT3G
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$0 $/Stück
PHB176NQ04T,118
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