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2SJ646-TL-E

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onsemi

P-CHANNEL SILICON MOSFET

2SJ646-TL-E Technisches Datenblatt

nicht konform

2SJ646-TL-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.20000 $0.2
500 $0.198 $99
1000 $0.196 $196
1500 $0.194 $291
2000 $0.192 $384
2500 $0.19 $475
73300 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

IXTN400N15X4
IXTN400N15X4
$0 $/Stück
SIR422DP-T1-GE3
IRFP150PBF
IRFP150PBF
$0 $/Stück
IRF7821TRPBF
NVMFS6H836NT3G
NVMFS6H836NT3G
$0 $/Stück
TPIC1533DWR
TPIC1533DWR
$0 $/Stück

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