Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FCP220N80

FCP220N80

FCP220N80

onsemi

MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3

FCP220N80 Technisches Datenblatt

nicht konform

FCP220N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.17000 $4.17
10 $3.73600 $37.36
100 $3.08530 $308.53
800 $2.28931 $1831.448
1,600 $2.14459 -
794 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2.3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4560 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STL210N4LF7AG
FQD5P10TM
FQD5P10TM
$0 $/Stück
FQP4N90
PMH400UNEH
PMH400UNEH
$0 $/Stück
STD80N4F6
STD80N4F6
$0 $/Stück
RM45N60DF
RM45N60DF
$0 $/Stück
SIR184LDP-T1-RE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.