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FDA28N50

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

FDA28N50 Technisches Datenblatt

compliant

FDA28N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.61000 $5.61
10 $5.02100 $50.21
450 $3.75678 $1690.551
900 $3.07614 $2768.526
1,350 $2.88167 -
93 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 155mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
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