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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 40 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 130 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±16V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 6250 pF @ 20 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 227W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252) |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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