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FDG6335N

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363

FDG6335N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG6335N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24308 -
6,000 $0.22631 -
15,000 $0.21793 -
30,000 $0.21336 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 700mA
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 113pF @ 10V
Leistung - max. 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD6H840NLWFT1G
NVMFD6H840NLWFT1G
$0 $/Stück
DMC3060LVTQ-7
DMHC4035LSDQ-13
SI5935CDC-T1-GE3
DMN4026SSD-13
SMA5131
SMA5131
$0 $/Stück
SIZ254DT-T1-GE3
EPC2101
EPC2101
$0 $/Stück

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