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FDMA510PZ

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MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

FDMA510PZ Technisches Datenblatt

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FDMA510PZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27434 -
6,000 $0.25542 -
15,000 $0.24596 -
30,000 $0.24080 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1480 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer 6-WDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

SIHB12N60E-GE3
NTLJS3113PTAG
NTLJS3113PTAG
$0 $/Stück
FDH50N50
IRFB3307PBF
DMTH6005LK3Q-13
STB85NF55T4
NTGS3455T1G
NTGS3455T1G
$0 $/Stück
NTHS5441T1
NTHS5441T1
$0 $/Stück
STW13NK100Z

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