Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 710 pF @ 5 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ChipFET™ |
| Paket / Koffer | 8-SMD, Flat Lead |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.