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FDMC8010

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MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33

FDMC8010 Technisches Datenblatt

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FDMC8010 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.18800 -
6,000 $1.14400 -
20267 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5860 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power33
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFB5620PBF
NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG
$0 $/Stück
STD12N60DM2AG
SQJA88EP-T1_GE3
IXFK64N60P3
IXFK64N60P3
$0 $/Stück
SUP40010EL-GE3
SIHA18N60E-E3

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