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FDMC86102

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MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33

FDMC86102 Technisches Datenblatt

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FDMC86102 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.77963 -
6,000 $0.75075 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 965 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power33
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN2024U-13
IXTT16P60P
IXTT16P60P
$0 $/Stück
DMN95H8D5HCT
FDD3672
FDD3672
$0 $/Stück
IRFP4310ZPBF
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
$0 $/Stück
SIHB12N50C-E3
STWA75N60M6

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