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FDP2572

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3

FDP2572 Technisches Datenblatt

compliant

FDP2572 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.32000 $2.32
10 $2.09500 $20.95
100 $1.68370 $168.37
800 $1.18236 $945.888
1,600 $1.08508 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 54mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN1R2-30YLDX
NVTFS6H860NLWFTAG
NVTFS6H860NLWFTAG
$0 $/Stück
IRFD220PBF
IRFD220PBF
$0 $/Stück
SIHF5N50D-E3
SIHF5N50D-E3
$0 $/Stück
SIHH27N60EF-T1-GE3
SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
$0 $/Stück
FDD6N50TM
FDD6N50TM
$0 $/Stück
SISS22DN-T1-GE3

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