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FDPF4D5N10C

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FDPF4D5N10C

onsemi

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

FDPF4D5N10C Technisches Datenblatt

compliant

FDPF4D5N10C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.69292 -
2905 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 128A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 310µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5065 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SQJ464EP-T1_BE3
IPP08CNE8NG
STH270N4F3-2
APT18M100S
IXFB210N20P
IXFB210N20P
$0 $/Stück
IRL630PBF
IRL630PBF
$0 $/Stück
NTD50N03R-35G
NTD50N03R-35G
$0 $/Stück
VP2450N3-G

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