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FDR858P

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MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8

FDR858P Technisches Datenblatt

compliant

FDR858P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2010 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-8
Paket / Koffer 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SI2321DS-T1-GE3
DKI10299
DKI10299
$0 $/Stück
NVMFS6B03NWFT1G
NVMFS6B03NWFT1G
$0 $/Stück
IRFP470
IRFP470
$0 $/Stück
APT6017B2LLG
ZXMN10A25K
SN7002W E6433
FDP075N15A
FDP075N15A
$0 $/Stück

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